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參數：

基地尺寸（um):600*600±30/670±30/890*890±30等

芯片厚度(um):280±20μm 220±30μm 220±20μm

發(fā)射器：Φ100±10μm Φ160±20μm 130*130±10μm

有效面積(um):510*510±20μm 382*382±20μ 320*320±20μm

模具尺寸:458*916±30μm 1220*610±30

HFE(@VCE=10V&IC=1mA）:＞300

TJ 結溫℃：150

Vceo：30/60

Iceo:900nA max（VCE=20V

Vces：300mA max（IC=5mA, IB=1mA）

特點;

上面 ：alumniumalloy l

下面 ：銀合金/alumniumalloy 等

鈍化 ：氮化硅/金合金/銀合金等

應用：

本規(guī)范適用于 NPN 光電晶體管