產(chǎn)品詳情
參數(shù):
芯片高度(um):600*600±30/670±30/890*890±30等
芯片厚度(um):600±30/670±30/280±30/3 00± 25μm等
有效面積(um):460*460/540*540/820*820等數(shù)值
Fowarrd Voltage V:<1.3
Luminous Intensity Po:>10 >14 >35等
Reverse Dark Current(nA):<10
焊盤尺寸105μm±10μm/100μm±10μmReverse Dark Current(nA) 等數(shù)值
峰值波長:940typ
Junction CapacitancepF:3yp 4yp 7yp 12yp 13yp
特點(diǎn):
NIP計(jì)劃類型:l
頂部(陰極)側(cè)面:鋁(Al)合金。
背面(陽極)側(cè)面:銀(Ag)合金
應(yīng)用:
該規(guī)范適用于 NIP 硅光電二極管芯片。
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