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參數：

芯片高度（um):230±15μm/215μm±20μm/180±30μm等型號

頂部尺寸（um）:174*174/210**210等數值

底部尺寸（um）:204*204/245*245/230*230等數值

Fowarrd Voltage V:1.3@20mA/1.40@20mA等數值

Luminous Intensity Po:0.5@20mA/0.9@20mA等數值

焊盤尺寸105μm±10μm/100μm±10μm等數值

峰值波長Peak wavelength（nm）min:940typ/575/613等數值

峰值波長Peak wavelength（nm）max:940typ/575/613等數值

Reverse current 反向電流（uA）:5min（IR=10uA/30max(Vr=5V)/10max（Vr=5V）等數值

Reverse voltage 反向電壓 （V）min：5V (IR=10uA）

特點：

MesaType：粗糙表面

電極：

P（陽極）面： 金合金/鋁合金

N（陰極）面：金合金/駱合金

應用：

本規范適用于 GaAlAs/GaAs 紅外發射二極管芯片