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參數(shù)：

Density：64KB 128KB 256KB 512KB 8KB 16KB 32KB 1MB 2MB

Max CLK：5Mhz  15Mhz

Vcc：1.65V~3.6V   1.7V~5.5V  

Temp：-40℃~105℃ -40℃~85℃

Cycle:1M 4M 10M

Retention:200Y 100y

ESD:2kv

Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150mil),TSSOP8SOP8(150mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)

Status:MP NR

特點：字節(jié) / 頁寫入時間小于 5ms，有可鎖定頁面、額外序列號、硬件控制鎖定受保護扇區(qū)、透明 ECC 可糾 1 位錯、高可靠性。耐用性達 400 萬次寫入周期，數(shù)據(jù)保留 200 年，閂鎖能力為 6kV +/- 200mA（25°C）。

（2）I2C EEPROM

參數(shù)：

Density：2KB 4KB 8KB 64KB 128KB 256KB 512KB 8KB 16KB 32KB 1MB 2MB

Max CLK：5Mhz  15Mhz 1Mhz 3.4Mhz

Vcc：1.7V~5.5V   1.65V~3.6V  

Temp：-40℃~105℃ -40℃~85℃ -40℃~125℃

Cycle:1M 4M 10M

Retention:200Y 100y

ESD:2kv

Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150mil),TSSOP8SOP8(150mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)

Status:MP NR

特點:施密特觸發(fā)器及噪聲抑制過濾輸入，具備順序和隨機讀取特性、頁面寫入模式（允許部分頁面寫入）、全內存陣列寫保護、自定時寫入周期（最大 5ms）。

（3）CCM

參數(shù)：

Density：2KB 4KB 8KB 16KB 32KB 128KB 256KB 512KB 1MB 2MB

Max CLK：1Mhz 3.4Mhz 5Mhz

Vcc：1.7V~5.5V   1.65V~3.6V

Temp：-40℃~85℃

Cycle:1M

Retention:100Y

ESD:2kv 4kv

Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150 mil),TSSOP8  SOP8(150 mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)

Status:MP

（4）WLCSP

參數(shù)：

Density：64KB 128KB 256KB

Max CLK：1Mhz 3.4Mhz

Vcc：1.7V~5.5V   1.65V~3.6V    1.1V~2.0V

Temp：-40℃~85℃

Cycle:1M 100K

Retention:200Y 100y

ESD:2kv

Package:WLCSP 0.5*0.5 6 Ball WLCSP 0.433*0.5 8Ball WLCSP 1*0.5 8Ball

Status:MP NR

應用：?智能卡；?傳感器節(jié)點；?工控設備；?汽車電子；?消費電子?